穩(wěn)壓二極管穩(wěn)壓二極管，英文名稱Zenerdiode，又叫齊納二極管。利用pn結(jié)反向擊穿狀態(tài)，其電流可在很大范圍內(nèi)變化而電壓基本不變的現(xiàn)象，制成的起穩(wěn)壓作用的二極管。此二極管是一種直到臨界反向擊穿電壓前都具有很高電阻的半導(dǎo)體器件。在這臨界擊穿點(diǎn)上，反向電阻降低到一個(gè)很小的數(shù)值，在這個(gè)低阻區(qū)中電流增加而電壓則保持恒定，穩(wěn)壓二極管是根據(jù)擊穿電壓來分檔的，因?yàn)檫@種特性，穩(wěn)壓管主要被作為穩(wěn)壓器或電壓基準(zhǔn)元件使用。穩(wěn)壓二極管可以串聯(lián)起來以便在較高的電壓上使用，通過串聯(lián)就可獲得更高的穩(wěn)定電壓。穩(wěn)壓二極管的伏安特性曲線的正向特性和普通二極管差不多，反向特性是在反向電壓低于反向擊穿電壓時(shí)，反向電阻很大，反向漏電流極小。但是，當(dāng)反向電壓臨近反向電壓的臨界值時(shí)，反向電流驟然增大，稱為擊穿，在這一臨界擊穿點(diǎn)上，反向電阻驟然降至很小值。盡管電流在很大的范圍內(nèi)變化，而二極管兩端的電壓卻基本上穩(wěn)定在擊穿電壓附近，從而實(shí)現(xiàn)了二極管的穩(wěn)壓功能。肖特基二極管肖特基二極管是以其發(fā)明人肖特基博士（Schottky）命名的，SBD是肖特基勢壘二極管（SchottkyBarrierDiode，縮寫成SBD）的簡稱。SBD不是利用P型半導(dǎo)體與N型半導(dǎo)體接觸形成PN結(jié)原理制作的。MBR1045CT是什么類型的管子？上海肖特基二極管MBR3060PT

是極有發(fā)展前景的電力、電子半導(dǎo)體器件。1．性能特點(diǎn)1）反向恢復(fù)時(shí)間反向恢復(fù)時(shí)間tr的概念是：電流通過零點(diǎn)由正向變換到規(guī)定低值的時(shí)間間距。它是衡量高頻續(xù)流及整流器件性能的關(guān)鍵技術(shù)指標(biāo)。反向回復(fù)電流的波形如圖1所示。IF為正向電流，IRM為反向回復(fù)電流。Irr為反向回復(fù)電流，通常規(guī)定Irr=。當(dāng)t≤t0時(shí)，正向電流I=IF。當(dāng)t＞t0時(shí)，由于整流器件上的正向電壓忽然變?yōu)榉聪螂妷?，因此正向電流快速下降，在t=t1時(shí)刻，I=0。然后整流器件上流過反向電流IR，并且IR慢慢增大；在t=t2日子達(dá)到反向回復(fù)電流IRM值。此后受正向電壓的效用，反向電流慢慢減少，并在t=t3日子達(dá)到規(guī)定值Irr。從t2到t3的反向恢復(fù)過程與電容器放電過程有相像之處。2）快回復(fù)、超快恢復(fù)二極管的結(jié)構(gòu)特點(diǎn)快恢復(fù)二極管的內(nèi)部構(gòu)造與一般而言二極管不同，它是在P型、N型硅材質(zhì)中間增加了基區(qū)I，組成P-I-N硅片。由于基區(qū)很薄，反向回復(fù)電荷很小，減少了trr值，還減低了瞬態(tài)正向壓降，使管子能經(jīng)受很高的反向工作電壓?？旎貜?fù)二極管的反向恢復(fù)時(shí)間一般為幾百納秒，正向壓降約為，正向電流是幾安培至幾千安培，反向峰值電壓可達(dá)幾百到幾千伏。超快恢復(fù)二極管的反向恢復(fù)電荷更進(jìn)一步減少，使其trr可低至幾十納秒。上海肖特基二極管MBR3060PTMBRF20200CT是什么類型的管子？

在高溫下能夠穩(wěn)定的工作，它在功率器件領(lǐng)域很有應(yīng)用前景。目前國際上報(bào)道的幾種結(jié)構(gòu)：UMOS、VDMOS、LDMOS、UMOSACCUFET，以及SIAFET等。2008年報(bào)道的雙RESURF結(jié)構(gòu)LDMOS，具有1550V阻斷電壓.[1]碳化硅肖特基二極管2碳化硅肖特基二極管SBD在導(dǎo)通過程中沒有額外載流子的注入和儲存，因而反向恢復(fù)電流小，關(guān)斷過程很快，開關(guān)損耗小。傳統(tǒng)的硅肖特基二極管，由于所有金屬與硅的功函數(shù)差都不很大，硅的肖特基勢壘較低，硅SBD的反向漏電流偏大，阻斷電壓較低，只能用于一二百伏的低電壓場合且不適合在150℃以上工作。然而，碳化硅SBD彌補(bǔ)了硅SBD的不足，許多金屬，例如鎳、金、鈀、鈦、鈷等，都可以與碳化硅形成肖特基勢壘高度1eV以上的肖特基接觸。據(jù)報(bào)道，Au/4H-SiC接觸的勢壘高度可達(dá)到eV，Ti/4H-SiC接觸的勢壘比較低，但也可以達(dá)到eV。6H-SiC與各種金屬接觸之間的肖特基勢壘高度變化比較寬，低至eV，高可達(dá)eV。于是，SBD成為人們開發(fā)碳化硅電力電子器件首先關(guān)注的對象。它是高壓快速與低功率損耗、耐高溫相結(jié)合的理想器件。目前國際上相繼研制成功水平較高的多種類的碳化硅器件。[1]SiC肖特基勢壘二極管在1985年問世，是Yoshida制作在3C-SiC上的。

所以電子便從濃度高的B中向濃度低的A中散播。顯然，金屬A中并未空穴，也就不存在空穴自A向B的擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)。隨著電子不停從B散播到A，B表面電子濃度日益減低，表面電中性被毀壞，于是就形成勢壘，其電場方向?yàn)锽→A。但在該電場功用之下，A中的電子也會產(chǎn)生從A→B的漂移運(yùn)動(dòng)，從而消弱了由于擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)而形成的電場。當(dāng)成立起一定寬度的空間電荷區(qū)后，電場引起的電子漂移運(yùn)動(dòng)和濃度不同引起的電子擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)達(dá)到相對的抵消，便形成了肖特基勢壘。特基二極管和整流二極管的差異肖特基（Schottky）二極管是一種快回復(fù)二極管，它屬一種低功耗、超高速半導(dǎo)體器件。其明顯的特色為反向回復(fù)時(shí)間極短（可以小到幾納秒），正向?qū)▔航?。肖特基（Schottky）二極管多當(dāng)作高頻、低壓、大電流整流二極管、續(xù)流二極管、維護(hù)二極管，也有用在微波通信等電路中作整流二極管、小信號檢波二極管用到。常用在彩電的二次電源整流，高頻電源整流中。肖特基二極管與一般整流二極管有什么差別呢？肖特基二極管與一般整流二極管相比之下特別之處在于哪里？就讓我們一齊深造一下。由半導(dǎo)體-半導(dǎo)體接面產(chǎn)生的P-N接面不同。肖特基勢壘的特點(diǎn)使得肖特基二極管的導(dǎo)通電壓降較低，而且可以提高切換的速度。MBRF30200CT是什么類型的管子？

肖特基二極管是通過金屬與N型半導(dǎo)體之間形成的接觸勢壘具有整流特性而制成的一種屬-半導(dǎo)體器件。肖特基二極管的基本結(jié)構(gòu)是重?fù)诫s的N型4H-SiC片、4H-SiC外延層、肖基觸層和歐姆接觸層。中文名碳化硅肖特基二極管外文名Schottkybarrierdiode目錄11碳化硅?碳化硅材料的發(fā)展和優(yōu)勢?碳化硅功率器件的發(fā)展現(xiàn)狀22碳化硅肖特基二極管?肖特基接觸?肖特基勢壘中載流子的輸運(yùn)機(jī)理碳化硅肖特基二極管1碳化硅碳化硅肖特基二極管碳化硅材料的發(fā)展和優(yōu)勢碳化硅早在1842年就被發(fā)現(xiàn)了，但因其制備時(shí)的工藝難度大，并且器件的成品率低，導(dǎo)致了價(jià)格較高，這影響了它的應(yīng)用。直到1955年，生長碳化硅的方法出現(xiàn)促進(jìn)了SiC材料的發(fā)展，在航天、航空、雷達(dá)和核能開發(fā)的領(lǐng)域得到應(yīng)用。1987年，商業(yè)化生產(chǎn)的SiC進(jìn)入市場，并應(yīng)用于石油地?zé)岬目碧?、變頻空調(diào)的開發(fā)、平板電視的應(yīng)用以及太陽能變換的領(lǐng)域。碳化硅材料有很多優(yōu)點(diǎn)，如禁帶寬度很大、臨界擊穿場強(qiáng)很高、熱導(dǎo)率很大、飽和電子漂移速度很高和介電常數(shù)很低如表1-1。首先大的禁帶寬度，如4H-SiC其禁帶寬度為eV，是硅材料禁帶寬度的三倍多，這使得器件能耐高溫并且能發(fā)射藍(lán)光；高的臨界擊穿場強(qiáng)，碳化硅的臨界擊穿場強(qiáng)(2-4MV/cm)很高。肖特基二極管有哪些優(yōu)缺點(diǎn)？上海肖特基二極管MBR3060PT

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肖特基SBD是肖特基勢壘二極管（SchottkyBarrierDiode,縮寫成SBD）的簡稱。SBD不是利用P型半導(dǎo)體與N型半導(dǎo)體接觸形成PN結(jié)原理制作的，而是利用金屬與半導(dǎo)體接觸形成的金屬－半導(dǎo)體結(jié)原理制作的，因此，SBD也稱為金屬－半導(dǎo)體（接觸）二極管或表面勢壘二極管，它是一種熱載流子二極管。SBD的主要優(yōu)點(diǎn)包括兩個(gè)方面：1）由于肖特基勢壘高度低于PN結(jié)勢壘高度，故其正向?qū)ㄩT限電壓和正向壓降都比PN結(jié)二極管低（約低）。2）由于SBD是一種多數(shù)載流子導(dǎo)電器件，不存在少數(shù)載流子壽命和反向恢復(fù)問題。SBD的反向恢復(fù)時(shí)間只是肖特基勢壘電容的充、放電時(shí)間，完全不同于PN結(jié)二極管的反向恢復(fù)時(shí)間。故開關(guān)速度非?？?，開關(guān)損耗也特別小，尤其適合于高頻應(yīng)用。SBD具有開關(guān)頻率高和正向壓降低等優(yōu)點(diǎn)，但其反向擊穿電壓比較低，約100V，以致于限制了其應(yīng)用范圍。二、產(chǎn)品介紹1.規(guī)格采用特殊的封裝工藝生產(chǎn)出GR系列共陰肖特基二極管模塊，具有低損耗、超高速、多子導(dǎo)電、大電流、均流效果好等優(yōu)點(diǎn)。特別適合6V～24V高頻電鍍電源，同等通態(tài)條件下比采用快恢復(fù)二極管模塊，底板溫度低14℃以上，節(jié)能9%～13%。上海肖特基二極管MBR3060PT

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